安矽思宣布:Ansys RaptorH获三星晶圆代工「2.5D/3D积体电路」和系统电磁效应认证

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1安矽思宣布:Ansys RaptorH获三星晶圆代工「2.5D/3D积体电路」和系统电磁效应认证全称

安矽思宣布:Ansys RaptorH获三星晶圆代工「2.5D/3D积体电路」和系统电磁效应认证:台指期涨89点 分析师:520以前不会有太大涨跌

2安矽思宣布:Ansys RaptorH获三星晶圆代工「2.5D/3D积体电路」和系统电磁效应认证简介

▲台指期5月11日走势。(图/取自期交所)

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请继续往下阅读... 三星一系列的先进奈米晶片和2.5D/3D-IC技术需要认证EM干扰的signoff方法。EM干扰会对复杂的多晶片封装(multi-chip assemblies)造成负面影响,而这是传统工具无法处理的任务。工程师需要使用高容量的EM分析工具,才能针对处理超高资讯传输速率的超大型SoC和2.5D/3D封装建立正确模型。2.5D/3D-IC讯号互动难以量化,此为影响故障的关键要素,并限制新技术采用率。

Ansys工程副总裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示,「我们与三星持续保持深厚合作关系,RaptorH提供升级版signoff流程,排除EM干扰风险并直接支援三星开发最顶尖的AI、HPC和5G半导体设计。RaptorH将帮助三星设计师和晶圆代工客户缩小晶片尺寸、降低电源需求、压低成本和加速产品上市时程。该解决方案亦展现Ansys不仅具有能将Helic等新收购公司的产品快速与既有产品线整合,也能加速成长并提供全球客户急需的解决方案。」

RaptorH的高度整合分析解决方案结合Ansys HFSS高传真高频率电磁解决方案以及Ansys RaptorX的超高速度与可靠架构,可帮助三星设计师建立EM现象模型,并确信寄生(parasitic)效应不会对系统造成负面影响,故能提高2.5D/3D晶片封装的时脉频率。这将推动此全新封装技术更快地进入主流生产,并大幅降低风险。

三星电子晶圆代工设计平台开发执行副总裁Jaehong Park表示,由于资料传输速率、电子系统整合层次和封装密度的提高,市场对新EM分析能力需求已成长至前所未见的规模,「Ansys RaptorH能帮助我们优秀的工程团队克服EM负面现象,进而缩短设计周期、减少预算并提升效能。」

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▲安矽思(Ansys)美国总部大楼。(图/翻摄自Wikipedia)

记者杨络悬/台北报导工程模拟软体开发商「安矽思」(Ansys, NASDAQ: ANSS)11日宣布,Ansys RaptorH电磁(electromagnetic;EM)模拟解决方案已获三星晶圆代工(Samsung Foundry)先进系统单晶片(Systems-on-chip, SoC)及2.5D/3D积体电路(2.5D/3D-IC)的开发认证。

Ansys表示,这项开发认证,让Ansys帮助三星设计师和三星晶圆代工客户,在采用三星全新signoff流程时更精确分析和减少EM效应相关风险,大幅加快最先进人工智慧(AI)、高效能运算(high-performance computing, HPC)和5G半导体设计进程。

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